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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/UCSP/14909
Title: Nueva topología para el modelado de transistores de microondas MESFET/GaAS considerando efectos de dispersión y memoria
Authors: Mendoza Gamero, Thalía
metadata.dc.contributor.advisor: Rafael Valdivia, Guillermo
Keywords: Transistores MESFET;Redes neuronales artificiales;Corrientes continuas;Transistores de potencia;Transistores de efecto de campo;Telecomunicaciones;Amplificadores de transistores
Issue Date: 2016
Publisher: Universidad Católica San Pablo
Abstract: En este trabajo, se presenta una nueva técnica para el mo delado de transistores de alta frecuencia con tecnología como GaAs(Arseniuro de Galio). La técnica puede predecir uno de los fenómenos más críticos en materia de telecomunicacion es , llamado efecto de disp ersión frecuencial, f en ómen o relacionado con el efecto memoria. Los resultados de las medicion es revelan la exactitud de esta técnica, ba jo condiciones de p equeña y gran señal. La técn ica propuesta puede ser utilizada en otros mo delos para mejorar la capacidad de predecir dichos fenómenos, utilizando solo una fuente de corriente en un nuevo circuito equivalente a gran señal.
URI: http://repositorio.ucsp.edu.pe/handle/UCSP/14909
Appears in Collections:Tesis Pregrado - Ingeniería Electrónica y de Telecomunicaciones

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