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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/UCSP/15419
Title: Nueva ecuación para la no linealidad lds en modelos eléctricos de transistores de microondas MESFET
Authors: Urquizo Enriquez, Anthony
metadata.dc.contributor.advisor: Rafael Valdivia, Guillermo
Keywords: Comunicaciones inalámbricas;Sistemas de telecomunicaciones estandarizados;Transistores de efecto de campo;Linealidad
Issue Date: 2017
Publisher: Universidad Católica San Pablo
Abstract: Las telecomunicaciones se enfocan en garantizar una transmisión y recepción de señales a través de distintos medios. Los métodos para garantizar una comunicación proponen trabajar con constelaciones densas, de distintas amplitudes y fases; donde alguna pequeña distorsión podría dificultar la discriminación y obtener fallas en la comunicación. Hoy mas que nunca las distorsiones preocupan en sus distintas etapas a pesar de que existen métodos y técnicas para poder reducirlas. Por otro lado la cantidad de energía que se utiliza en las estaciones base es tan alta que encarecen los costos operacionales sin que signifique obtener mejor comunicación. El porcentaje de eficiencia de los amplificadores de potencia tienen menos del 50% que añadidos con la energía que se utiliza dentro de una estación base, hacen que este valor descienda aun más. La necesidad de mejorar este escenario puede recibir un gran aporte con el estudio y modelado de fenómenos relacionados con los amplificadores de potencia. La tecnología apunta a reducir el consumo de energía y para que las telecomunicaciones lo puedan hacer, se necesita de mejores técnicas de modelado; que es lo que se propone en esta tesis. El nuevo modelo propone un método a través del cual el flujo de corriente dinámica, derivadas de los fenómenos típicos de dispersión, se pueden modelar en circuitos equivalentes. Las corrientes estáticas y pulsadas se caracterizan utilizando una nueva ecuación y posteriormente implementados en una topología de circuito a gran señal con una única fuente de corriente. La nueva técnica de modelado se basa en un modelo DC convencional bien establecido y sobre ese se introduce la nueva ecuación. En este trabajo extendemos el rango de validez de la operación a gran señal, incluyendo predicción precisa de la transconductancia y conductancia de salida en DC y RF.
URI: http://repositorio.ucsp.edu.pe/handle/UCSP/15419
Appears in Collections:Tesis Pregrado - Ingeniería Electrónica y de Telecomunicaciones

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