Nueva ecuación para la no linealidad lds en modelos eléctricos de transistores de microondas MESFET

dc.contributor.advisorRafael Valdivia, Guillermo
dc.contributor.authorUrquizo Enriquez, Anthony
dc.date.accessioned2017-08-22T15:53:51Z
dc.date.available2017-08-22T15:53:51Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractLas telecomunicaciones se enfocan en garantizar una transmisión y recepción de señales a través de distintos medios. Los métodos para garantizar una comunicación proponen trabajar con constelaciones densas, de distintas amplitudes y fases; donde alguna pequeña distorsión podría dificultar la discriminación y obtener fallas en la comunicación. Hoy mas que nunca las distorsiones preocupan en sus distintas etapas a pesar de que existen métodos y técnicas para poder reducirlas. Por otro lado la cantidad de energía que se utiliza en las estaciones base es tan alta que encarecen los costos operacionales sin que signifique obtener mejor comunicación. El porcentaje de eficiencia de los amplificadores de potencia tienen menos del 50% que añadidos con la energía que se utiliza dentro de una estación base, hacen que este valor descienda aun más. La necesidad de mejorar este escenario puede recibir un gran aporte con el estudio y modelado de fenómenos relacionados con los amplificadores de potencia. La tecnología apunta a reducir el consumo de energía y para que las telecomunicaciones lo puedan hacer, se necesita de mejores técnicas de modelado; que es lo que se propone en esta tesis. El nuevo modelo propone un método a través del cual el flujo de corriente dinámica, derivadas de los fenómenos típicos de dispersión, se pueden modelar en circuitos equivalentes. Las corrientes estáticas y pulsadas se caracterizan utilizando una nueva ecuación y posteriormente implementados en una topología de circuito a gran señal con una única fuente de corriente. La nueva técnica de modelado se basa en un modelo DC convencional bien establecido y sobre ese se introduce la nueva ecuación. En este trabajo extendemos el rango de validez de la operación a gran señal, incluyendo predicción precisa de la transconductancia y conductancia de salida en DC y RF.es_PE
dc.description.uriTesises_PE
dc.formatapplication/pdfes_PE
dc.identifier.other1055811
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12590/15419
dc.language.isospaes_PE
dc.publisherUniversidad Católica San Pabloes_PE
dc.publisher.countryPEes_PE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_PE
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/es_PE
dc.sourceUniversidad Católica San Pabloes_PE
dc.sourceRepositorio Institucional - UCSPes_PE
dc.subjectComunicaciones inalámbricases_PE
dc.subjectSistemas de telecomunicaciones estandarizadoses_PE
dc.subjectTransistores de efecto de campoes_PE
dc.subjectLinealidades_PE
dc.subject.ocdehttp://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.02.05es_PE
dc.titleNueva ecuación para la no linealidad lds en modelos eléctricos de transistores de microondas MESFETes_PE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises_PE
renati.advisor.dni29721523
renati.author.dni70132770
thesis.degree.disciplineIngeniería Electrónica y de Telecomunicacioneses_PE
thesis.degree.grantorUniversidad Católica San Pablo. Facultad de Ingeniería y Computaciónes_PE
thesis.degree.levelTítulo Profesionales_PE
thesis.degree.nameIngeniero de Telecomunicacioneses_PE
thesis.degree.programEscuela Profesional de Ingeniería Electrónica y de Telecomunicacioneses_PE
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